引领3D NAND潮流,戴尔全闪存再次突破业界每GB成本

戴尔易安信解决方案 2018-04-28

戴尔易安信解决方案

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引言

近日闪存领域的最大新闻,应该是戴尔在其SC(Compellent)系列存储阵列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持,现在开始提供业界单位容量成本($/GB)最低的全闪存阵列。
戴尔也正式对外宣布,这将是:
①行业最低的$/GB,包括闪存裸容量和可用容量;
②以15K硬盘价格提供SSD;
③企业级全闪存阵列价格低至$1.66/GB(裸容量)

“硬指标才是硬道理”
最实在的每GB成本计算
全闪存阵列最大的优势就是快,满足用户性能快的同时其最大的门槛就是物理容量,目前在解决性能与容量的矛盾问题方面,业界友商采用了压缩和重删之后来计算每GB成本。但是按照戴尔的硬指标来看,全闪存阵列应该比较物理容量才能更贴近用户需求,而不是用不可控的压缩或者重删来美化结果。另一方面,戴尔也在满足用户全闪存阵列大容量需求的同时,Dell SC和EQ系列都支持并且免费提供压缩和重删功能,对于这点,戴尔在业界绝对领先。

TLC 3D NAND读性能
让小伙伴惊呆了!
目前,在戴尔SC存储产品家族中支持3种SSD:写密集型(WI)、高级读密集型(PRI)和主流读密集型(MRI)。其中新加入的MRI有4个容量标准——480GB、960GB、1.92TB和3.84TB。需要指出的是,用户对于3.8TB的闪存容量需求,戴尔给予了业界最大化的满足,已经将最新的MRI最先推进到用户应用端。戴尔本身更愿意倾听用户声音,产品设计源于用户需求本身,因此对于用户需求把控非常明确,MRI对于读密集型需求读用户将会带来一次新的飞跃。

当然,戴尔既然拥有多种类型SSD给予用户的选择,也是基于用户需求差异性而考虑的。首先价格最贵的WI全面领先,这部分用户需求重性能,WI可以给予充分满足,因为WI类型SSD不仅写性能卓越,读性能也同样卓越。

其次,高级读密集型(PRI)可以满足用户对于读性能读高级需求,对于价格方面稍微不那么敏感的用户更利于接受。

另外就是新推出的MRI(TLC 3D)在随机和顺序读性能上与之前的读密集型MLC一样保持了良好的水平。当然,在对比15K HDD来看,MRI SSD在随机IOPS方面的巨大优势自不必说了。

总体分析来看,戴尔将用户对于读写性能需求做了细致划分,让用户对于SSD性能与成本选择上有了更多的机会,对整个全闪存阵列市场的拉力效应必将是巨大的。新驱动器(TLC 3D)相对于当前RI(MLC)SSD,解决方案成本($/GB)降低50%,保持了优秀的读性能,对于在读性能方面要求高并且还在乎成本的用户来说,不能不算是一个福音;同时在对比15K HDD,则有着优异的读写性能,并维持相同的解决方案成本,这明显指明了用户采用闪存替代磁盘的最佳途径之一。

名不虚传的杀手锏:
闪存优化分层

TLC 3D NAND SSD在SC阵列中的配置方法,戴尔有两种方案:

a.全闪存,替代15K HDD并加快通用阵列的速度,可选7.2K HDD混合分层。该方案能够以相同成本提供24倍硬盘配置的IOPS,具备低延时、低功耗/冷却需求和较小的空间占用。当然这种配置应该主要是针对读密集型应用,写入数据量较大的推荐下面的方案。

b.WI写密集型和MRI主流读密集型SSD分层(同时也可选7.2K HDD混合分层),TLC 3D NAND在这里进一步降低了只读访问的Tier 2闪存层价格,同时相比其它MLC SSD没有性能下降。这种高级性能“闪存优化型”阵列的特点,我们在《向Gartner全闪存魔力象限说“不”》一文中介绍过,所有来自主机的写操作都进入RIAD 10的Tier 1,然后定期以固定尺寸数据块顺序迁移到RAID 5/6的Tier 2中,兼顾了读/写性能、空间利用率和闪存寿命。

可以看出,闪存优化分层是戴尔平衡成本、性能与寿命的强大武器,并不是一味追寻所谓的“AFA(全闪存阵列)”。从数据生命周期的角度来考虑,AFA不支持磁盘是缺憾, 而戴尔坚持扎扎实实在闪存级别上做优化,在业界唯一的SLC/eMLC分层的基础上,再次全球第一个推出TLC闪存阵列。

同时,戴尔也认为TLC不是用来代替eMLC和SLC做业务密集型(如写入频繁的OLTP)存储的,而是容量型,戴尔对于用户需求定位非常准确,绝不含糊。TLC在闪存中的定位有些类似于机械硬盘中的NL-SAS,区别在于TLC的读性能是不打折扣的。当然,对于不同用户的需求,戴尔也有专业工具和专业人员来设计合适的方案。

因制程不同 - 3D TLC将拥有与
2D MLC相对等的使用寿命

利用多层堆叠封装,3D NAND能否提高闪存颗粒的密度。同时,搭配更加成熟3x-50nm半导体工艺,在相同的闪存类型(比如MLC vs. MLC,TLC vs. TLC)上比现今前沿的1x-20nm闪存会有更好的耐久度。我们知道,随着cell单元尺寸的不断缩小,NAND的P/E Cycle(编程/擦除周期)呈不断下降趋势。

戴尔存储产品管理执行董事Travis Vigil在他的博客中这样写道:“对于繁重写入的负载,戴尔也能更长期地保护Tier 2中的3D TLC SSD。戴尔对此非常自信,承诺所有SSD类型的生命周期与阵列的服务计划一样长,我们将更换任何损坏的驱动器而不考虑(闪存)磨损等级或者最大寿命。”

也就是说,只要在阵列的保修服务期内,无论SSD是否因为超出写寿命限制而损坏,戴尔都将免费更换。

正是因为我们前面介绍的闪存优化分层等优势技术带来的改善,戴尔才能够给出这种承诺!


戴尔SC4020现在能够在2U空间内提供90TB闪存,达到15K HDD(单盘最大600GB)密度的6倍。闪存取代高转速硬盘的趋势毋庸置疑,而戴尔对TLC 3D闪存的支持则像一个催化剂,将闪存阵列的普及之火会越烧越旺。

总结
可见,引领3D NAND潮流,戴尔全闪存再次突破业界每GB成本只是一次小小的试水。在闪存领域的竞争征途上,戴尔永远会坚持用户需求定位,以最先进的技术与服务帮助用户获得最实在与优惠的解决方案。对此,戴尔将会一如既往地在闪存新技术的应用上保持既有的先进性,并在未来给予用户更大的回报。