✎✎✎“存储极客”栏目再次与大家见面啦!在这里,只有一位大咖名叫“存储”,它的粉丝我们称为“存储极客”!前不久,全球闪存峰会(Flash Memory Summit,以下简称FMS)的技术委员会主席Brian Berg在北京演讲时表示,“摩尔定律是一个非常伟大的定律,但是在闪存市场,现在看来闪存技术的发展是可以超过摩尔定律的。”什么?没听错吧?戈登·摩尔那个伟大的摩尔定律,那个纵贯微处理器乃至整个半导体行业技术发展的摩尔定律,会在闪存技术的发展中,失效?但是显然,当着会议现场1000多位听众,Brian Berg身为全球最大闪存、内存方面会议的技术主席,不会是信口开河,那么,问题显然就转变为了,“为什么闪存技术的发展会超过摩尔定律?”首先,让我们先回顾一下摩尔定律:在价格不变的前提下,集成电路芯片上所集成的电路的数目,每隔18个月就翻一番。在过去的五十年(摩尔定律是1965年提出的),摩尔定律一直发挥着效用,但是在最近几年,随着制程工艺的进步变得越来越难,认为英特尔等处理器供应商无法继续延续摩尔定律发展的观点甚嚣尘上。但在闪存技术上,却截然相反,持Brian Berg同样观点的人认为:“闪存技术的发展正在打破摩尔定律,这种打破,是超越而不是无法遵从。”但为什么闪存技术会出现超越摩尔定律的情况呢?众所周知,闪存同样是一种半导体技术,其整体容量和性能发展,应当充分遵从摩尔定律,特别是闪存技术(比如NAND Flash)的制程工艺步进与处理器是类似的:2014年市场上的主流制程技术是三星和东芝的19nm以及SK海力士和英特尔/美光的20nm;2015年,市场正逐步过渡到15nm和16nm技术;到2016年第四季度,除东芝将提供13nm左右的制程工艺之外,三星、SK海力士、英特尔/美光将会把支撑维持在14nm制程级别——事实上,英特尔的14nm制程处理器上市已经有很长一段时间了,闪存技术到2016年如果采用14nm制程的话,要比英特尔的微处理器晚了接近3年的时间。
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